高性能数据采集模块

 浏览:0 更新时间:2020-08-31

SIRIUS® 高动态范围模块(双核)–2x 24 Bit,200 kS/s

这种新技术解决了我们经常遇到的问题——信号超出所设定的量程而导致削波。DEWESoft双核ADC技术保证用户总是能够使用最佳量程,因为信号经由高、低两个不同增益的放大器同时进行测量!

·声音和振动

·没有过载错误(不会削波)

·适用于高动态范围传感器:声学传感器,加速度计,应变计等

SIRIUSm 4xACC

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模拟输入

4通道电压/IEPE/电流(使用外部SHUNT电阻)

ADC 类型

24位delta-sigma双核,内置抗混叠滤波器

采样率

同步200 kS/sec

双核模式量程(低量程)

±10 V(500 mV),±500 mV(NA)

动态范围@10kS (双核)

140 dB(160 dB)

输入耦合

DC,AC 0.1Hz,1 Hz(3Hz,10Hz,软件程控可选)

输入阻抗

1 MΩ in parallel with 0.4nF

IEPE模式

4/8mA 激励;传感器检测(短路:<4 V; 开路:> 19 V)

TEDS

IEPE 模式下支持

过压保护

50 V 连续; 200 V 峰值(10msec)

功耗(max.)

4 W,USB 供电(2个USB 线缆)

SIRIUSm 3xACC1xACC+

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模拟输入

4通道电压/IEPE/电流(使用外部SHUNT电阻)


与SIRIUSm 4xACC规格相同,增加1通道计数器

数字输入

1通道计数器/3个数字输入,与模拟通道完全同步

输入电平类型

CMOS,LVTTL

输入电压保护

±25V连续

数字输出

1通道集电极开路,max.100mA/30V

功耗 (max.)

4 W,USB供电(2根USB线缆)

SIRIUSi 8xACC  SIRIUSie

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模拟输入

8通道电压/IEPE/电流 (使用外部SHUNT电阻)

ADC 类型

24位delta-sigma 双核,内置抗混叠滤波器

采样率

同步200 kS/sec版本;20 kS/sec版本

双核模式量程(低量程)

±10 V(500 mV),±500 mV (NA)

动态范围@10kS(双核)

140 dB(160 dB)

输入耦合

DC,AC0.1Hz,1Hz(3 Hz,10 Hz,软件程控可选)

输入阻抗

1 MΩ in parallel with 0.4nF

IEPE模式

4/8 mA 激励; 传感器检测(短路:<4 V; 开路:> 19 V)

TEDS

IEPE 模式下支持

过压保护

50V连续;200 V 峰值(10msec)

典型功耗(max.)

8 W(15W)

 

SIRIUSi 6xACC2xACC+  SIRIUSie

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模拟输入

8通道电压/IEPE/电流(使用外部SHUNT电阻)


与SIRIUSi 8xACC规格相同,增加2通道计数器

数字输入

2通道计数器/6个数字输入,与模拟通道完全同步

输入电平类型

CMOS,LVTTL

输入电压保护

±25 V 连续

数字输出

2通道集电极开路,max. 100mA/30V

典型功耗 (max.)

8 W(15 W)

 


SIRIUS® 高动态范围模块(双核)–2x 24 Bit,200 kS/s

SIRIUSi 8xCHG  SIRIUSie

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模拟输入

8通道电压/IEPE/电荷/电流 (使用外部SHUNT电阻)

ADC 类型

24位delta-sigma 双核,内置抗混叠滤波器

采样率

同步 200 kS/sec版本;20 kS/sec版本

电荷模式量程(低量程)

±100 000 pC(5000 pC),±10 000 pC(500 pC)

双核模式量程(低量程)

±10 V(500 mV),±500 mV(NA)

动态范围@10kS(双核)

140 dB(160 dB)

输入耦合

DC,AC(0.1Hz,1Hz,10Hz或100 Hz)

输入阻抗

1MΩ in parallel with 0.4nF

IEPE模式

4/8 mA激励;传感器检测(短路:<4Volt;开路: >19V)

TEDS

IEPE模式下支持

过压保护

50V连续;200 V峰值(10msec)

典型功耗(max.)

10 W(18 W)

 

SIRIUSi 6xCHG2xCHG+ SIRIUSie

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模拟输入

8通道电压/IEPE/电荷/电流(使用外部SHUNT电阻)


与SIRIUSi 8xCHG规格相同,增加2通道计数器

数字输入

2通道计数器/6数字输入,与模拟通道完全同步

输入电平类型

CMOS,LVTTL

输入电压保护

±25 V 连续

数字输入

2通道集电极开路,max. 100mA/30V

典型功耗(max.)

10 W(18W)

 

SIRIUSi 8xHV SIRIUSie

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模拟输入

8通道电压/电流 (使用外部SHUNT电阻)

ADC 类型

24delta-sigma双核,内置抗混叠滤波器

采样率

连续200 kS/sec版本;20 kS/sec版本

双核模式量程(低量程)

±1200 V(50 V),±50 V(NA)

动态范围@10kS(双核)

142 dB(158 dB)

输入耦合

DC

输入阻抗

10 MΩ in parallel 2pF

过压保护

In+ 和In-之间:1.8 kV RMS,Inx与地之间:1.4 kV RMS

典型功耗(max.)

8W

 

SIRIUSi 8xLV SIRIUSie

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模拟输入

8通道电压/全桥应变/电流 (使用外部SHUNT电阻)

ADC 类型

24位delta-sigma 双核,内置抗混叠滤波器

采样率

同步200 kS/sec版本; 20 kS/sec版本

双核模式量程(低量程)

±200V(10V),±10V(500mV),±1V(50mV),±100 mV(5mV)

应变输入量程 @ 10Vexc(低量程)

1000(50)mV/V,100(5)mV/V,10(0.5) mV/V

动态范围@10kS(双核)

137dB(152dB)

输入耦合

DC,AC 1Hz (3Hz,10Hz,软件程控可选)

输入阻抗

(100V量程) IN+或In-对 GND:10 (1) MΩ

桥路模式

全桥应变

TEDS

标准+ DSI® 适配器,仅支持DSUB 9接头

传感器激励

2 ~ 30 V双极性/ 0 ~ 24V单极性软件程控(16 bit DAC),最大0,2 A /2W

过压保护

200V和20V量程:300V;其他量程:100V (250V峰值10 msec)

典型功耗 (max.)

10W(25 W)

*仅BNC或Banana接口型支持无风扇版(不提供激励电压)


SIRIUS® 高动态范围模块(双核)–2x 24 Bit,200 kS/s

SIRIUSi 4xHV4xLV SIRIUSie

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ADC 类型

24位delta-sigma双核,内置抗混叠滤波器

采样率

同步200 kS/sec版本;20 kS/sec版本

典型功耗(max.)

10W(18W)

高压输入通道

4通道电压

双核模式量程(低量程)

±1200 V(50 V),±50 V(NA)

动态范围@10kS(双核)

142 dB(158 dB)

输入耦合

DC

输入阻抗

10 MΩ in parallel 2pF

过压保护

In+与In-之间:1.8kV RMS,Inx与地之间:1.4kV RMS

低压模拟输入

4通道电压/全桥应变/电流(使用外部SHUNT电阻)

双核模式量程(低量程)

±200 V(10 V),±10 V(500 mV),±1V(50 mV),±100 mV(5 mV)

应变输入量程@ 10Vexc(低量程)

2mV/V…1000mV/V,程控可选(双核)

动态范围@10kS(双核)

137dB(152dB)

输入耦合

DC,AC 1Hz(3Hz,10Hz,软件程控可选)

输入阻抗 (100 V 量程)

IN+或In-对GND:10(1)MΩ

桥路模式

全桥应变

TEDS

标准+ DSI® 适配器,仅支持DSUB 9

传感器激励

2~30V双极/0~24V单极,软件程控(16 bit DAC),最大0,2A/2 W

过压保护

200V和20V量程:300 V;其他量程:100V(250V峰值10 msec)

SIRIUSi 8xLV+ SIRIUSie

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输入通道

8通道电压/全桥应变/电流(使用外部SHUNT电阻)

输入电平类型

与SIRIUSi 8xLV规格相同,增加8通道计数器

数字输入

8通道计数器/24个数字输入,与模拟通道完全同步

输入电平类型

CMOS,LVTTL

输入电压保护

±25 V连续

数字输入

8通道集电极开路,max.100mA/30V

典型功耗(max.)

10W(25W)

*仅BNC或Banana接口型支持无风扇版(不提供激励电压)

SIRIUSi 8xMULTI             模拟输入、模拟输出、计数器完全同步!

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模拟输入

8 通道电压/全桥/半桥/桥应变/电流 (使用外部电阻)/电位计

ADC类型

224位delta-sigma 双核,内置抗混叠滤波器

采样率

同步 200 kS/sec

双核模式量程(低量程)

±10V(500mV),±1V(50 mV),±100mV(5mV),±50mV (2.5mV)

应变输入量程 @ 10Vexc(低量程)

1000(50)mV/V,100(5)mV/V,10(0.5)mV/V,5(0.25)mV/V

动态范围@10kS(双核)

137 dB (152 dB)

输入耦合

DC

输入阻抗

10 MΩ

桥路模式

全桥/半桥/ ¼桥应变(120/350Ω,34线制);集成内部组桥电阻

内部SHUNT校准电阻

99.88 kΩ,双极性至 Exc+或 Exc- (其他可定制)

TEDS

支持

激励电压

0 ~ 12VDC程控可调(16Bit DAC),最大:44mA

过压保护

In+至In-: 50V连续; 200V峰值(10msec)

典型功耗(max.)

15W(25W)

数字输入

8通道计数器/24个数字输入,与模拟通道完全同步

模拟输出

8通道24 bit sigma delta 200 kHz,±10V

典型功耗(max.)

15W(25W)


SIRIUS® 高动态范围模块(双核)– 2x 24 Bit,200 kS/s

SIRIUSi 8xSTG SIRIUSie

image.png 

模拟输入

8通道电压/全桥/半桥/¼桥应变/电流 (使用外部电阻)/电阻/温度/电位计

ADC类型

24位delta-sigma双核,内置抗混叠滤波器

采样率

同步200 kS/sec版本;20kS/sec版本

双核模式量程(低量程)

±50V(2.5V),±10V(500mV),±1V(50mV),±100mV(5mV)

应变输入量程@ 10Vexc(低量程)

1000(50)mV/V,100(5)mV/V,10(0.5)mV/V

动态范围@10kS(双核)

137dB(152dB)

输入耦合

DC,AC 1Hz(3Hz,10Hz ,软件程控可选)

输入阻抗

In+ 和 In-之间 1 MΩ @ 50 V 量程 ; 其他量程 > 1 GΩ

桥路模式

全桥/半桥/¼桥应变(120/350Ω,3\4线制); 集成内部组桥电阻

内部SHUNT校准电阻

59.88 kΩ ,175 kΩ,双极性至Exc+ 或 Exc-(其它可定制)

TEDS

支持,SIRIUSi 8xSTG-L2B7f模块除外


DSI® 适配器仅支持9针DSUB接口

激励电压

0 ~ 20VDC程控可调(16 Bit DAC),最大:0,1A/ 0,8W

激励电流

0 ~ 60 mA程控可调(16Bit DAC),最大:500 mW

过压保护

50V量程:300V;其他量程:50V(200V峰值10msec)

数字输入

SIRIUSi 8xSTG:无SIRIUSi 8xSTG-L2B10f:,单独1针用于数字I/O->总计8个数字I/O(集电极开路)

典型功耗(max.)

15W(25 W)

 

SIRIUSi 8xSTG+ SIRIUSie

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模拟输入

8通道电压/全桥/半桥/¼桥应变/电流 (使用外部电阻)/电阻/温度/电位计


与SIRIUSi 8xSTG 规格相同,增加8通道计数器

数字输入

8通道计数器/24数字输入,与模拟通道完全同步

输入电平类型

CMOS,LVTTL

输入电压保护

±25V连续

数字输出

8通道集电极开路,max.100mA/30V

 

SIRIUSi 6xSTG2xSTG+ SIRIUSie

image.png 

模拟输入

8通道电压/全桥/半桥/¼桥应变/电流 (使用外部电阻)/电阻/温度/电位计


与SIRIUSi 8xSTG 规格相同,增加2通道计数器

数字输入

2通道计数器/6数字输入,与模拟通道完全同步

输入电平类型

CMOS,LVTTL

输入电压保护

±25 V 连续

数字输出

2 ch open collector,max.100 mA/30 V


SIRIUS® 高动态范围模块(双核)–2x 24 Bit200 kS/s

SIRIUSi 8xSTGM SIRIUSie

image.png 

模拟输入

8通道电压/全桥/半桥/¼桥应变/电流(使用外部电阻)/电位计

ADC 类型

24位delta-sigma 双核,内置抗混叠滤波器

采样率

同步200 kS/sec版本;20 kS/sec版本

双核模式量程(低量程)

±10V(500 mV),±1V(50 mV),±100mV(5 mV),±10mV(0.5 mV)

应变输入量程 @10Vexc(低量程)

1000(50)mV/V,100(5mV/V,10(0.5)mV/V,1(0.05)mV/V

动态范围@10kS(双核)

137 dB(152 dB)

输入耦合

DC

输入阻抗

10 MΩ

桥路模式

全桥/半桥/¼桥应变(120/350Ω,3线制); 集成内部组桥电阻

内部SHUNT校准电阻

100 kΩ,双极性至 Exc+或 Exc-(其他可定制)

TEDS

支持DSI® 适配器仅支持 9针 DSUB接口

激励电压

0 ~ 15 VDC 程控可调(16 Bit DAC),最大:44mA

过压保护

In+ 至 In-:50V 连续;200 V 峰值(10msec)

典型功耗(max.)

11W(20W)

 

SIRIUSi 8xSTGM+ SIRIUSie

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模拟输入

8 通道电压/全桥/半桥/¼桥应变/电流(使用外部电阻)/电位计与 SIRIUSi 8xSTGM规格相同,增加8通道计数器


与 SIRIUSi 8xSTGM 规格相同,增加8通道计数器

数字输入

8通道计数器/24数字输入,与模拟通道完全同步

输入电平类型

CMOS,LVTTL

输入电压保护

±25 V 连续

数字输出

8通道集电极开路,max. 100mA/30V

典型功耗(max.)

11W(20W)

 

SIRIUSi 8xSTGM-DB SIRIUSie

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模拟输入

8 通道电压/全桥/半桥/¼桥应变/电流(使用外部电阻)/电位计


与 SIRIUSi 8xSTGM 规格相同,增加数字I/O通道

数字输入

8 计数器/24数字输入,DSUB 37针接口,与模拟通道完全同步

数字输出

8 通道,DSUB 25 针接口,高边开关接至电源,最大150mA/ch电流可直接驱动继电器,带短路保护功能

典型功耗(max.

12W(26W)